ALD原子层沉积镀膜设备

在原子层沉积（ALD）工艺中，选择合适的前驱体对工艺控制、薄膜性能等方面至关重要。同时根据前驱体特性，如性状、挥发性等，配以合适的源瓶则会对工艺有协同效应。我司除在前驱体研制方面充分发挥技术优势外，还在ALD源瓶的设计和加工方面积累的丰富经验。我们竭诚为广大客户提供各类专一的源瓶。找ALD源瓶，优选“维意真空”

一、设备概述:
T-ALD原子层沉积系统是专门为科研和工业小型化量产用户而设计的多片沉积系统。该系统电气符合CE标准，广泛应用于微电子、纳米材料、光学薄膜、太阳能电池等领域。

二、产品优势:

的软件控制系统：系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控等功能于一体。

三、技术指标:

基片尺寸 6英寸及以下尺寸
基片加热温度 室温~300℃
前驱体源路数 标准3路前驱体管路
前驱体管路温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃
源瓶加热温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃
ALD阀 Swagelok快速高温ALD阀
本底真空 <5x10^-3Torr，标配合资国产机械泵
载气系统 N₂或者Ar
长模式 连续和停留沉积模式任意选择
控制系统 PLC+触摸屏或者显示器
电源 50-60Hz，220V/20A交流电源
沉积非均匀性 非均匀性<±1%
设备尺寸 600mm x 600mm x 1100mm

四、可沉积薄膜种类:

单 质：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
氧化物：TiO₂, HfO₂, SiO₂, ZnO, ZrO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SnO₂…
其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO₃,SrTaO₆…

五、ALD应用实例:

存储容性电介质，铜互连中高深宽比扩散阻挡层，OLED无针孔钝化层，MEMS的高均匀镀膜，纳米多孔结构镀膜，特种光纤掺杂，太阳能电池，平板显示器，光学薄膜，其它各类特殊结构纳米薄膜。